AI算力机柜迈入兆瓦级,安世中国以完整PSU方案覆盖当下与未来

互联网 2026-09-07 11:33:35 5464
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AI算力机柜功率从千瓦级迈向兆瓦级,服务器电源(PSU)拓扑正经历深刻变革。面对这一趋势,安世中国以完整的控制器、驱动、MOSFET及逻辑器件产品矩阵,为工程师提供一站式选型方案。

行业变局:算力攀升驱动PSU技术架构升级

AI芯片热设计功耗持续攀升。据国盛证券研报,英伟达GPU机柜功率已从Ampere的10kW攀升至Rubin的200kW以上,Rubin Ultra更超过1MW。

据群智咨询数据,2026年全球AI服务器出货量预计达370万台,同比增长51.3%。TrendForce预估仅英伟达平台PSU市场价值将从2025年29亿美元增至2026年45亿美元,年增56%。AI服务器PSU正经历“量价齐升”的黄金发展期。

在此背景下,安世中国面向AI服务器PSU市场,已构建覆盖非冗余与冗余两大架构、模拟与数字双轨控制的完整半导体方案。

模拟控制器方案:非冗余PSU的高性价比之选

 

面向边缘AI推理、存储扩展等非标准PSU场景(功率300W~600W),安世中国提供完整的模拟控制器方案:

NEX83188 PFC控制器(已量产) :采用创新的多模式控制,同等功率下电感体积可减半,帮助工程师节省PCB空间和系统成本。支持增强型GaN直接驱动,轻载效率优于行业,待机功耗仅450µA。产品已在多个客户量产使用,SOP-8封装,PIN to PIN兼容主流型号。

 

NEX82016 LLC控制器(已量产) :数模混合控制,通过图形化界面即可灵活配置各种保护和运行参数,一颗芯片适配100W~600W多场景,简化库存管理。满足DoE VII和CoC V5 Tier 2能效标准。集成高压启动、X电容放电等丰富功能,减少外围元件、降低系统成本。

NEX81916同步整流控制器(已量产) :120V耐压覆盖12V/48V输出需求。独创绿色节能模式降低轻载功耗;自适应栅压调节实现快速关断,降低MOSFET电压应力;互锁功能防止两路同时导通。静态电流仅140µA,与NEX82016搭配可轻松通过国际能效标准。

栅极驱动方案:冗余标准PSU的核心利器

在机柜式AI服务器标准电源中,安世中国推出覆盖Si MOSFET与SiC的栅极驱动系列:

NGD31251(已量产) :双通道低侧驱动器,5A峰值驱动电流,支持双通道并联获得10A驱动能力,有效应对多颗MOSFET并联带来的大结电容挑战。输入耐压-8V至28V,传输延时仅13ns,适用于同步整流、交错PFC等大功率拓扑。

逻辑器件:信号调理、保护逻辑与状态上报

PSU内部电磁干扰强,逻辑器件需要具备出色的抗噪能力。安世中国74HC系列与74HCS系列逻辑产品覆盖信号调理、故障汇集、状态锁存、串行上报等功能,与PWM控制器、MCU协同构成完整的控制与保护链路。

明星产品包括:74HC14PW、74HC32PW/74HCS32PW、74HCS08PW、74HC74D、74HC164PW。其中HCS系列全部输入带施密特触发器,抗噪性能优于标准HC系列,加量不加价,新设计优先选用。六款逻辑产品已采用12英寸工艺平台重新定义行业价格,降幅超10%,不限量国产供应链稳定供应。

功率MOSFET:当前PSU方案的“压舱石”

在PSU次级同步整流和OR-ing功能中,低压MOSFET是功率链路输出级的关键器件。安世中国在这一领域深耕多年,六款主推产品覆盖25V~80V,年销量超千万颗,采用通用5x6mm封装,满足IPC9592标准。

六款明星产品包括:PSMN1R0-30YLD、PSMN1R2-30YLD、PSMNS1R3-80MYX8、PSMN1R4-40YLD、PSMN0R9-25YLC、PSMNR51-25YLH,均以超低导通电阻和强鲁棒性著称,凭借成熟的12英寸晶圆工艺和稳定的本土供应,成为AI PSU市场中兼具性能与成本优势的主力选择。六款产品均已在安世中国商城重磅上线,不限量国产供应链稳定供应。

小信号器件:完整方案的最后拼图

小信号方面,BC846/BC847三极管(SOT23封装)覆盖风扇驱动、信号放大、保护控制等全功能节点,配合PTVS系列TVS、PESD系列ESD、PMEG系列肖特基,形成完整的小信号器件生态。两款三极管已采用12英寸工艺平台重新定义行业价格,不限量国产供应链稳定供应。

针对CRPS标准12V/3A辅助电源,安世中国提供NEX80601+NEX81802反激方案,进一步补齐方案拼图。

放眼未来:SiC驱动为高压大功率时代铺路

面向AI服务器向更高功率密度和800V高压架构演进的趋势,安世中国已提前布局SiC驱动产品线。NGD31141(送样)是专为SiC功率管设计的单通道低侧驱动器,内置负压关断电路(-3V/-4.5V可选),实测将SiC米勒尖峰从2.5V降至-0.5V,可靠关断避免炸机。内置5V LDO可直接为隔离器供电,集成退饱和保护(软关断降低SiC应力)和过温保护,为下一代高压大功率PSU提供核心驱动保障。

从几百瓦的边缘推理到几十千瓦的AI机柜,安世中国已构建覆盖PSU全功率等级的完整方案,提供的不只是一颗芯片,而是一整套经过验证、可量产的解决方案。

责任编辑:IT国度
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